来源：新浪证券-红岸工作室

5月14日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种利用TVS二极管框架组件加工TVS二极管的方法”的专利，授权公告号CN111755408B，授权公告日为2026年5月12日。申请公布号为CN111755408A，申请号为CN202010765302.3，申请公布日期为2026年5月12日，申请日期为2020年8月3日，发明人薛伟、吕强、肖宝童、金铭、熊鹏程、王毅，专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师周全，分类号H10W70/40、H10W70/04、H10D8/00、H10D8/01。

专利摘要显示，TVS二极管两片式框架组件及加工方法。涉及半导体器件技术领域，具体涉及TVS二极管的两片式框架。包括上框架组件和下框架组件，所述下框架组件包括下框架上边、下框架下边，以及连接在所述下框架上边和所述下框架下边之间的若干下框架筋条，在所述下框架筋条的两侧均布有若干下框架单元；所述上框架组件包括上框架上边、上框架下边，以及连接在所述上框架上边和所述上框架下边的一根上框架筋条；所述上框架筋条的两侧均布有若干上框架单元；所述上框架组件叠加在所述下框架组件上时，所述下框架单元和所述上框架单元一一对位。本发明减少了应力对TVS二极管的影响，提高TVS二极管在后期使用中的稳定性，并延长了TVS二极管的使用寿命。

扬杰科技成立于2006年8月2日，于2014年1月23日在深圳证券交易所上市，注册地址和办公地址均在江苏省扬州市。它是国内功率半导体领先企业，专注功率半导体硅片、芯片及器件制造等核心业务，技术实力强。

扬杰科技主营业务集研发、生产、销售于一体，专注于功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域，所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，涉及低空经济、高派息、快充概念等板块。

2025年，扬杰科技营业收入达71.3亿元，在18家行业企业中排名第3，行业第一名*ST闻泰为312.53亿元，第二名士兰微为130.52亿元，行业平均数39.84亿元，中位数13亿元。其主营业务中，半导体器件62.57亿元占比87.75%，半导体芯片5.34亿元占比7.49%等。净利润方面，2025年扬杰科技达12.45亿元，在18家企业中排名第1，行业第二名捷捷微电为4.76亿元，行业平均数 -3.38亿元，中位数5933.85万元。

扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种Power DFN框架、封装体及制备方法发明专利公布CN202610286131.32026-03-10CN121985840A2026-05-05熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅2一种三相半控整流桥复合封装及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511981365.12025-12-25CN121604824A2026-03-03张帅、姚文康、王双、陈润生、王毅3一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511950595.12025-12-23CN121729076A2026-03-24熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅4一种光伏旁路二极管模块加工工艺发明专利公布CN202511930765.X2025-12-19CN121693132A2026-03-17司天平、景昌忠、陈润生、王毅5一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511911493.92025-12-17CN121699615A2026-03-20李跃兵、王双、李长青、刘军、许愿、陈润生、王毅6一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法发明专利公布CN202511407480.82025-09-29CN120980899A2025-11-18龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅7一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407472.32025-09-29CN121152230A2025-12-16龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅8一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407464.92025-09-29CN121240474A2025-12-30龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅9一种高功率密度三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511209188.52025-08-27CN120857527A2025-10-28代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅10一种高集电极电流三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207926.22025-08-27CN120916450A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅11一种高EAS能力的三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511208008.12025-08-27CN120916452A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅12一种高频和高增益三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207991.52025-08-27CN120916451A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅13一种高电流密度三极管及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207877.22025-08-27CN121057236A2025-12-02代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅14一种便捷式旁路保护器件的加工方法发明专利公布CN202511154480.12025-08-18CN121017690A2025-11-28李广源、梁欣源、陈润生、王毅15一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511145062.62025-08-15CN121011539A2025-11-25徐超、司天平、陈润生、王毅16一种新型二极管金属线键合塑封一体机发明专利实质审查的生效、公布CN202510879767.42025-06-27CN120690730A2025-09-23耿印、王毅17一种半导体塑封模具异物检测机构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510842518.82025-06-23CN120645350A2025-09-16刁卫斌、王毅18一种二极管外观检测装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510826492.82025-06-19CN120539278A2025-08-26耿印、王毅19一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510793665.02025-06-13CN120637356A2025-09-12代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅20提升绝缘耐压能力的整流桥堆实用新型授权CN202521114013.12025-05-30CN224205650U2026-05-05邱力宸、王毅21多引脚散热桥堆实用新型授权CN202521104107.02025-05-30CN224205649U2026-05-05姚文康、王双、吕强、王毅22一种改进半导体器件饱和压降的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510613311.32025-05-13CN120417408A2025-08-01龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅23单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510148616.12025-02-11CN119704417A2025-03-28王鑫、王毅24一种FRED半导体器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510126905.12025-01-27CN119947137A2025-05-06崔龙、王毅25一种横向IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996035.52024-12-31CN119730275A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅26一种横向平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996030.22024-12-31CN119730274A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅27一种横向RC-IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996027.02024-12-31CN119730273A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅28一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996043.X2024-12-31CN119730277A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅29一种自带续流能力的IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996042.52024-12-31CN119730276A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅30自动防卡料管装上料装置实用新型授权CN202423295438.52024-12-31CN223547013U2025-11-14李伟贞、殷宪虎、王毅31整流桥周转管打塞装置实用新型授权CN202423295423.92024-12-31CN223574783U2025-11-21张杰、徐俊、殷宪虎、王毅32整流桥平整度检测装置实用新型授权CN202423266959.82024-12-30CN223551060U2025-11-14雍鑫、徐俊、王毅33框架镜像检测平台实用新型授权CN202423266953.02024-12-30CN223711466U2025-12-23沈青青、徐俊、王毅34一种增强栅氧可靠性的SiCMOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411950010.12024-12-27CN119743969A2025-04-01王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅35一种减小漏电的SiCSBD二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411955197.42024-12-27CN119789443A2025-04-08王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅36具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管实用新型授权CN202423253084.82024-12-27CN223652616U2025-12-09王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅37具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件实用新型授权CN202423247744.12024-12-27CN223652617U2025-12-09王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅38整流桥防反治具实用新型授权CN202423192234.92024-12-24CN223665429U2025-12-12金超、徐俊、王毅39一种集成SBD的SiCMOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411854926.72024-12-17CN119584574A2025-03-07王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅40一种晶圆加工用吸附装置实用新型授权CN202423106298.22024-12-17CN223566605U2025-11-18唐红梅、张晓勇、王毅41具有高续流能力的SIC MOSFET器件实用新型授权CN202423106302.52024-12-17CN223584622U2025-11-21王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅42一种晶圆加工定位切割装置实用新型授权CN202423106293.X2024-12-17CN223589763U2025-11-25唐红梅、张晓勇、王毅43一种肖特基二极管Ni势垒层正面金属去除方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411846769.52024-12-16CN119581321A2025-03-07苏朕、尹鑫德、王毅44码垛型铜框架料篮实用新型授权CN202423084013.X2024-12-13CN223421179U2025-10-10田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅45一种回流焊自动下料生产线发明专利专利权质押登记、变更及注销、专利权质押登记、变更及注销、授权、实质审查的生效、公布CN202411839636.52024-12-13CN119542220B2025-10-10田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅46料篮自动码垛装置实用新型授权CN202423084021.42024-12-13CN223421890U2025-10-10田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅47一种晶圆加工用涂胶装置实用新型授权CN202423084010.62024-12-13CN223436191U2025-10-14唐红梅、张晓勇、王毅48铜框架夹装机械手实用新型授权CN202423084026.72024-12-13CN223477676U2025-10-28田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅49改善D-Poly膜厚均匀性的散流板实用新型授权CN202423084006.X2024-12-13CN223612375U2025-11-28刘菲、邹威、王毅50回流焊下料装置实用新型授权CN202423084032.22024-12-13CN223642924U2025-12-09田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅

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