爱思开海力士申请存储器装置及制造该存储器装置的方法专利，芯片区域的至少一部分设置在测试电极之间_资讯

爱思开海力士申请存储器装置及制造该存储器装置的方法专利，芯片区域的至少一部分设置在测试电极之间

创始人

2026-05-14 03:51:59

0次

国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器装置及制造该存储器装置的方法”的专利，公开号CN122028429A，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，存储器装置及制造该存储器装置的方法，该存储器装置包括其中导电层和层间绝缘层在层叠方向上交替层叠的层叠体。存储器装置还包括包围层叠体的芯片区域的芯片保护件，芯片保护件在层叠方向上穿透层叠体。存储器装置还包括电联接到芯片保护件的测试电极。测试电极彼此间隔开，并且芯片区域的至少一部分设置在测试电极之间。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示电极投资测试芯片装置存储器专利区域层叠体存储器装置保护件

上一篇：宇宁科技申请基于LK阶段SPI总线控制器与屏IC的通信方法专利，使传输速率快

下一篇：英唐智控：公司下游业务覆盖消费电子、汽车电子、工业制造等多个领域

爱思开海力士申请存储器装置及制造该存储器装置的方法专利，芯片区域的至少一部分设置在测试电极之间

相关内容

热门资讯