荆楚理工学院申请用于增强光电性能的p-Si/n-ZnO界面修饰的制备方法专利，能够提高光电性能_资讯

荆楚理工学院申请用于增强光电性能的p-Si/n-ZnO界面修饰的制备方法专利，能够提高光电性能

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2026-05-08 22:32:22

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国家知识产权局信息显示，荆楚理工学院;湖北永创鑫电子有限公司申请一项名为“一种用于增强光电性能的p-Si/n-ZnO界面修饰的制备方法”的专利，公开号CN122002948A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明涉及一种用于增强光电性能的p‑Si/n‑ZnO界面修饰的制备方法，属于异质结光电技术领域，包括以下步骤：1）清洗Si，分别用丙酮、无水乙醇和去离子水各清洗20分钟；2）采用磁控溅射技术，将p‑Si放入磁控溅射腔室，在p‑Si上制备本征ZnO；3）将制备的Si基ZnO进行氧化退火；4）在步骤3）基础上，采用磁控溅射技术，制备n‑ZnO；5）将制备的p‑Si/n‑ZnO异质结进行还原退火；6）得到界面修饰后增强光电性能的p‑Si/n‑ZnO异质结材料。该用于增强光电性能的p‑Si/n‑ZnO界面修饰的制备方法，制备的p‑Si/n‑ZnO界面修饰的异质结，用来光电转换效率测试，能够提高光电性能，并且具有制备简单、成本低的优点。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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