上海集成电路装备材料产业创新中心申请背照式图像传感器制造方法专利，减少工艺步骤降低工艺成本_资讯

上海集成电路装备材料产业创新中心申请背照式图像传感器制造方法专利，减少工艺步骤降低工艺成本

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2026-05-08 20:21:10

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国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“背照式图像传感器的制造方法”的专利，公开号CN122002934A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种背照式图像传感器的制造方法，通过以图形化的第一光刻胶层为掩膜，依次刻蚀第一开口中暴露出的介电层以及第一开口底部的衬底以形成第二开口，并刻蚀暴露出的逻辑区的介电层以形成接地孔，即第二开口(用于金属焊盘形成的生长窗口)与接地孔在同一刻蚀步骤中形成，也就是说通过一层掩膜即可形成第二开口和接地孔，由此节省了两层掩膜，从而减少了金属焊盘和接地结构形成过程中的掩膜，进而降低工艺成本。相应的，金属焊盘和接地结构可以在同一工艺步骤中形成，从而减少了工艺步骤，进一步降低了工艺成本。

天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目78次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息622条，此外企业还拥有行政许可211个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示创新中心投资上海接地图像传感器集成电路工艺专利焊盘接地孔介电层掩膜

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