格力申请半导体结构及其制备方法专利，提升半导体结构的性能_资讯

格力申请半导体结构及其制备方法专利，提升半导体结构的性能

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2026-04-02 19:42:08

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国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“半导体结构和半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN121772280A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构和半导体结构的制备方法。该半导体结构包括衬底、外延层、沟槽栅极结构、掺杂结构、源极结构以及漏极结构，外延层位于衬底的一侧；沟槽栅极结构位于外延层内；掺杂结构位于外延层内，并且至少部分掺杂结构位于沟槽栅极结构和衬底之间，在衬底指向外延层的方向上，掺杂结构的掺杂浓度先增大再减小；源极结构位于外延层远离衬底的一侧；漏极结构位于衬底远离外延层的一侧。通过设置掺杂浓度变化的掺杂结构，可以提升半导体结构的性能。

天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目31次，专利信息268条，此外企业还拥有行政许可108个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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