晶合集成取得NMOS晶体管击穿电压检测电路专利，解决了大漏电现象_资讯

晶合集成取得NMOS晶体管击穿电压检测电路专利，解决了大漏电现象

创始人

2026-04-02 09:57:55

0次

国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“一种NMOS晶体管的击穿电压检测电路”的专利，授权公告号CN224066931U，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种NMOS晶体管的击穿电压检测电路，通过在输入端与第一晶体管之间增设二极管，利用二极管的单向导电性，使得从输入端到电源VCC反向截止，在输入电压增加并大于电源VCC所提供的电压后，没有电流从输入端流经第一晶体管和第二晶体管并到达第三晶体管的栅极，这样第三晶体管不会打开，避免了闩锁回路的产生以及漏电路径的产生，从而解决了大漏电现象，保证了PMIC产品的正常量产。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息45条，专利信息1585条，此外企业还拥有行政许可26个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资电路检测合肥电压集成晶体管晶合专利二极管

上一篇：新股消息 | 圣邦股份(300661.SZ)再度递表港交所深耕模拟集成电路领域

下一篇：辰翊电子专业维修:泰克TBS1202C示波器遇到的开机无反应、无波形、花屏、黑屏、精度漂移、按键失灵等问题。

晶合集成取得NMOS晶体管击穿电压检测电路专利，解决了大漏电现象

相关内容

热门资讯