芯通电子申请大功率MOS管封装方法专利，提升封装设计的优化深度与方案落地效率_资讯

芯通电子申请大功率MOS管封装方法专利，提升封装设计的优化深度与方案落地效率

创始人

2026-04-01 21:53:34

0次

国家知识产权局信息显示，深圳市芯通电子科技有限公司申请一项名为“一种大功率MOS管的封装方法”的专利，公开号CN121772652A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种大功率MOS管的封装方法。该方法包括通过意图解析层处理封装任务指令，生成结构化意图框架。随后，利用材料特性关联网络，依据热、电、机械规则动态构建并演化材料关联图谱，基于意图框架在图谱中定向遍历并标记高潜力材料节点。接着，由封装工艺适配引擎同步调用工艺规则，为各材料节点推导可行工艺，形成包含完整材料‑工艺链路的候选方案集，最终经多维决策层输出执行方案。该方法能够从材料复杂关联中智能发掘非显性优势组合，并在方案生成初期同步保障工艺可行性，从而提升封装设计的优化深度与方案落地效率。

天眼查资料显示，深圳市芯通电子科技有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市芯通电子科技有限公司财产线索方面有商标信息4条，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法方案材料大功率深圳市深度设计的工艺通电子专利意图

上一篇：时创能源取得电位计角度调节装置专利，实现导电丝生产的精确控制

下一篇：金河田 Nexus Gold Ultra 电源线材规格问题致歉

芯通电子申请大功率MOS管封装方法专利，提升封装设计的优化深度与方案落地效率

相关内容

热门资讯