英诺赛科申请半导体装置专利，能够降低衬底管控电路与双向HEMT间的寄生参数_资讯

英诺赛科申请半导体装置专利，能够降低衬底管控电路与双向HEMT间的寄生参数

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2026-04-01 21:48:58

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国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN121772261A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体电子器件技术领域，公开了一种半导体装置。半导体装置包括：衬底，具有第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域一侧；双向HEMT，设置于第一区域，双向HEMT包括第一源极和第二源极，双向HEMT在工作状态下被配置为第一源极、第二源极中的一者具有第一电位、另一者具有第二电位，且第一源极交替切换于第一电位、第二电位，其中第二电位高于第一电位；衬底管控电路，至少部分位于第二区域，衬底管控电路与第一源极、第二源极以及衬底电连接，衬底管控电路在工作状态下被配置为比较第一源极与第二源极的电位，并将第一源极、第二源极中处于第一电位的一者与衬底导通。根据上述半导体装置，能够降低衬底管控电路与双向HEMT间的寄生参数。

天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本91510.0653万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司共对外投资了10家企业，专利信息101条，此外企业还拥有行政许可14个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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