南亚科技申请包括堆叠多个半导体晶片的电子元件及其制备方法专利，通过混合接合实现半导体晶片间的电性连接_资讯

南亚科技申请包括堆叠多个半导体晶片的电子元件及其制备方法专利，通过混合接合实现半导体晶片间的电性连接

创始人

2026-04-01 20:08:21

0次

国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“包括堆叠多个半导体晶片的电子元件及其制备方法”的专利，公开号CN121772227A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本公开提供一种电子元件及其制备方法。该电子元件包括一第一半导体晶片、一第二半导体晶片、一第三半导体晶片、一第四半导体晶片和一第五半导体晶片。该第二半导体晶片堆叠在该第一半导体晶片上，并通过混合接合而与该第一半导体晶片电性连接。该第四半导体晶片堆叠在该第三半导体晶片上，并通过混合接合而与该第三半导体晶片电性连接。该第三半导体晶片堆叠在该第二半导体晶片上，并通过多个凸块而与第二半导体晶片电性连接。该第五半导体晶片设置在该第一半导体晶片下方，并经由多个电子连接器而与该第一半导体晶片电性连接。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示市场投资半导体电子元件南亚混合包括专利南亚科技电性晶片

上一篇：展讯半导体申请图像处理方法专利，提高成片率

下一篇：中芯国际控股成立半导体新公司，注册资本4.32亿美元

南亚科技申请包括堆叠多个半导体晶片的电子元件及其制备方法专利，通过混合接合实现半导体晶片间的电性连接

相关内容

热门资讯