华进半导体申请半导体封装结构及其制备方法专利，提高硅晶圆与其上方的第一芯片和第二芯片之间的热膨胀系数匹配度_资讯

华进半导体申请半导体封装结构及其制备方法专利，提高硅晶圆与其上方的第一芯片和第二芯片之间的热膨胀系数匹配度

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2026-04-01 20:06:34

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国家知识产权局信息显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请一项名为“一种半导体封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN121772776A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体封装结构及其制备方法，包括：硅晶圆，具有相对的上表面和下表面；设置于硅晶圆中的至少一个第一安装槽和至少一个第二安装槽；安装槽位于硅晶圆的上表面一侧；嵌入第一安装槽内的互连硅桥；位于互连硅桥上方的第一芯片和第二芯片；相邻的第一芯片和第二芯片通过一个互连硅桥互连；嵌入第二安装槽内的深沟槽电容器；深沟槽电容器连接第一芯片；还包括：贯穿硅晶圆的多个硅通孔，硅通孔位于互连硅桥的侧部和深沟槽电容器的侧部。本发明可以提高硅晶圆与其上方的第一芯片和第二芯片之间的热膨胀系数匹配度，减小翘曲，同时提高第一芯片和第二芯片的响应速度，缩短第一芯片的去耦路径，提升电源去耦性能。

天眼查资料显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本72064.22万人民币。通过天眼查大数据分析，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目102次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息1130条，此外企业还拥有行政许可55个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资芯片导体技术研发中心先导结构专利深沟槽硅晶圆硅桥

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