英飞凌科技申请半导体装置及其制造方法专利，实现第一功率芯片和第一逻辑芯片的电耦合
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2026-04-01 20:03:35
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121772787A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，一种半导体装置包括芯片载体、被布置在所述芯片载体的安装表面上方的第一功率芯片、被布置在所述第一功率芯片的背离所述芯片载体的顶表面上方的层压板、以及被配置为驱动所述第一功率芯片并且被布置在所述层压板的背离所述芯片载体的顶表面上方的第一逻辑芯片。所述第一功率芯片和所述第一逻辑芯片经由所述层压板的电布线电耦合。
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来源：市场资讯
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