速腾聚创申请单光子雪崩二极管单元和电子设备专利，提高单光子雪崩二极管单元的探测性能_资讯

速腾聚创申请单光子雪崩二极管单元和电子设备专利，提高单光子雪崩二极管单元的探测性能

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2026-04-01 14:49:40

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国家知识产权局信息显示，深圳市速腾聚创科技有限公司申请一项名为“单光子雪崩二极管单元和电子设备”的专利，公开号CN121772360A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体领域，尤其涉及单光子雪崩二极管单元和电子设备，单光子雪崩二极管单元包括至少一个主结和势垒区，其中：所述主结的尺寸小于预设尺寸；所述势垒区的极性与第一阱区域的极性相同，所述第一阱区域为所述主结中的在深度方向上远离所述单光子雪崩二极管单元的电极的阱区域；所述势垒区在深度方向上与所述第一阱区域处于同一层并且围绕所述第一阱区域进行设置，并且，所述势垒区向外延伸至所述单光子雪崩二极管单元的空穴导电区，所述空穴导电区的极性与所述第一阱区域的极性相同。该技术方案能实现高PDE同时保证较低DCR，从而提高单光子雪崩二极管单元的探测性能。

天眼查资料显示，深圳市速腾聚创科技有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本62034.4万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市速腾聚创科技有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目230次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1246条，此外企业还拥有行政许可30个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资单元探测申请单电子设备光子雪崩专利二极管势垒区极性

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