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积塔半导体申请低触发高维持电压可控硅静电防护器件专利，避免因触发电压过高、维持电压过低所造成的器件结构本身易闩锁的问题

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2026-04-01 05:55:16

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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“低触发高维持电压的可控硅静电防护器件及其制备方法”的专利，公开号CN121751764A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种低触发高维持电压的可控硅静电防护器件及其制备方法。本发明通过在跨接第一N阱与第一P阱之间的第三N+注入区下方通过离子注入的形式增加一层P型注入区，将雪崩击穿面转移到第三N+注入区与P型注入区，从而降低器件的触发电压；通过引入GGNMOS结构，在主路径SCR泄流路径开启之后仍存在一条表面的分流路径与SCR泄流路径并联分流，使得器件的维持电压得以提升，且器件整体的鲁棒性也不会因GGNMOS结构的引入而有明显的退化。本发明能够降低触发电压、提升维持电压，避免因触发电压过高、维持电压过低所造成的器件结构本身易闩锁的问题。进一步通过控制所述GGNMOS晶体管的数量调节所述GGNMOS结构的总指长，可以调节器件的维持电压。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1967次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1350条，此外企业还拥有行政许可201个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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