燕东微电子申请半导体结构专利，降低载流子隧穿概率_资讯

燕东微电子申请半导体结构专利，降低载流子隧穿概率

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2026-03-30 14:30:43

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国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子科技有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN121751683A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构，包括：半导体层；位于半导体层中且间隔设置的源区和漏区；位于半导体层上的栅极结构，包括层叠设置的栅极介质层和栅极，栅极介质层包括靠近漏区的第一区域和靠近源区的第二区域，第二区域与第一区域的等效氧化层厚度相等；其中，第一区域包括层叠设置的第一介质层和第二介质层；至少部分第一介质层具有第一介电常数；第二介质层具有第二介电常数，第二介电常数大于第一介电常数；第二区域具有第一介电常数。上述半导体结构，通过在靠近漏区的栅极介质层中插入具有高介电常数的介质层，在保证EOT值不变的情况下形成非对称栅极结构，可以降低漏极施加高电压时过高的纵向电场强度，降低载流子隧穿概率。

天眼查资料显示，北京燕东微电子科技有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1600000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1150次，专利信息183条，此外企业还拥有行政许可113个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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