力晶积成申请非挥发性存储器结构专利，提升存储器性能与可靠性
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2026-03-30 14:29:52
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国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“非挥发性存储器结构”的专利，公开号CN121751641A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明公开一种非挥发性存储器结构，包括基底、栅介电层与浮置栅极结构。栅介电层位于基底上。浮置栅极结构位于栅介电层上。浮置栅极结构包括缓冲多晶硅层、碳掺杂多晶硅层、掺杂多晶硅层、第一氮化物层与第一氧化物层。缓冲多晶硅层位于栅介电层上。碳掺杂多晶硅层位于缓冲多晶硅层上。掺杂多晶硅层位于碳掺杂多晶硅层上。第一氮化物层位于缓冲多晶硅层与栅介电层之间。第一氧化物层位于掺杂多晶硅层与碳掺杂多晶硅层之间。
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