南通尚阳通申请沟槽栅碳化硅MOSFET及其制造方法专利，能集成异质结二极管_资讯

南通尚阳通申请沟槽栅碳化硅MOSFET及其制造方法专利，能集成异质结二极管

创始人

2026-03-30 09:37:54

0次

国家知识产权局信息显示，南通尚阳通集成电路有限公司申请一项名为“沟槽栅碳化硅MOSFET及其制造方法”的专利，公开号CN121751705A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽栅碳化硅MOSFET，形成于第一导电类型掺杂的碳化硅外延层中的第二导电类型掺杂的第一埋层的顶部表面低于栅极沟槽的底部表面；在沟道区的第一侧面外侧形成有填充于第二沟槽中的异质结多晶硅层。由位于第一埋层的顶部表面之上的碳化硅外延层组成横向电流路径，由位于第一埋层的第二侧面到栅极沟槽的底部之间的碳化硅外延层组成纵向电流路径并和横向电流路径一起形成异质结二极管的电流路径。在第一埋层和沟道区相交叠的部分区域中形成有多个第一连接层，在沿第一埋层的长度方向上各第一连接层之间具有间隔，间隔区为横向电流路径的组成部分。本发明还公开了一种沟槽栅碳化硅MOSFET的制造方法。本发明能集成异质结二极管。

天眼查资料显示，南通尚阳通集成电路有限公司，成立于2018年，位于南通市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，南通尚阳通集成电路有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造方法电流投资沟槽路径集成碳化硅专利二极管南通异质

上一篇：哪些稳压器厂家值得推荐

下一篇：下半年的每一场消费电子发布会，都是坏消息

南通尚阳通申请沟槽栅碳化硅MOSFET及其制造方法专利，能集成异质结二极管

相关内容

热门资讯