北方华创申请半导体工艺腔室及半导体热处理设备专利,避免污染晶圆反应区内的晶圆
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2026-03-28 01:45:05
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国家知识产权局信息显示,北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“半导体工艺腔室及半导体热处理设备”的专利,公开号CN121748250A,申请日期为2024年9月。

专利摘要显示,本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体热处理设备,属于半导体技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体以及内腔室,内腔室设置于腔室本体内,内腔室的内部空间作为等离子体产生区,内腔室为金属阻隔结构,腔室本体内设有晶圆反应区,等离子体产生区与晶圆反应区相对,且内腔室设有通孔,等离子体产生区通过通孔与晶圆反应区连通。半导体热处理设备包括上述的半导体工艺腔室和供气管路,供气管路用于为内腔室提供工艺气体,以产生等离体子体。如此设置,内腔室的腔壁阻挡金属离子轰击腔室本体的腔壁,避免金属离子扩散至晶圆反应区,从而避免污染晶圆反应区内的晶圆,有利于提升工艺效果。

天眼查资料显示,北京北方华创微电子装备有限公司,成立于2001年,位于北京市,是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本114153.708311万人民币。通过天眼查大数据分析,北京北方华创微电子装备有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标项目1395次,财产线索方面有商标信息72条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可340个。

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来源:市场资讯

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