国家知识产权局信息显示，希烽光电科技（南京）有限公司;NANO科技（北京）有限公司申请一项名为“一种波导型锗硅雪崩光电二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121751774A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种波导型锗硅雪崩光电二极管及其制备方法，波导型锗硅雪崩光电二极管包括衬底、光传输区和谐振探测区，光传输区和谐振探测区均位于衬底的顶部硅Si层上；光传输区包括入射波导结构、入射层间转换结构、谐振硅Si波导结构、出射层间转换结构和出射弯曲波导结构；谐振探测区包括P型金属接触区、锗Ge环形谐振波导结构、电荷控制区、本征雪崩区和N型金属接触区。制备方法用来制备波导型锗硅雪崩光电二极管。本发明波导型锗硅雪崩光电二极管，实现特定波段光信号的分离耦合和振荡吸收，获取高光吸收效率；将未被完全吸收的光信号通过弯曲波导重新耦合进光入射波导，实现光信号的多次耦合吸收，获得高响应度。

天眼查资料显示，希烽光电科技（南京）有限公司，成立于2018年，位于南京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1441.4848万美元。通过天眼查大数据分析，希烽光电科技（南京）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，专利信息98条，此外企业还拥有行政许可7个。

NANO科技（北京）有限公司，成立于2007年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本14578.66335万人民币。通过天眼查大数据分析，NANO科技（北京）有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息154条，此外企业还拥有行政许可2个。

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来源：市场资讯