晶合集成获得发明专利授权：“一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构”_资讯

晶合集成获得发明专利授权：“一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构”

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2026-03-26 16:28:28

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构”，专利申请号为CN202610088108.3，授权日为2026年3月24日。

专利摘要：本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构；其中，所述方法包括：在选中的半导体衬底上，依次沉积衬底氧化层、衬底氮化硅层、牺牲层、底部抗反射涂层和光刻胶，并通过光刻工艺形成图案化的牺牲层；在图案化的牺牲层上依次沉积预设厚度的研磨阻挡层和第一电介质层，通过化学机械研磨工艺处理第一电介质层并通过刻蚀工艺去除研磨阻挡层，先后形成逻辑区的沟道以及像素区的沟道；沉积第二电介质层并化学机械研磨，最终得到双浅沟道隔离结构。本发明公开的技术方案，解决了现有技术中存在的产生氮化硅残留以及逻辑区域、像素区域的氧化硅高度不同的技术问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权129个，较去年同期增加了72%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1523条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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制造方法电介质技术隔离天眼集成导体晶合专利牺牲层半导体沟道衬底

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