南亚科技申请半导体结构制造方法专利，加强抗反射层间粘着力及硬遮罩品质_资讯

南亚科技申请半导体结构制造方法专利，加强抗反射层间粘着力及硬遮罩品质

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2026-03-26 16:21:42

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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利，公开号CN121728769A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，半导体结构的制造方法，包含在基板上形成位元线结构；在基板上与位元线结构之间形成介电层；在介电层上形成包含经等离子体处理的富氧抗反射层以及设置在其上的富硅抗反射层的层堆叠；形成包含遮罩特征以及开口的图案化遮罩层在层堆叠上，开口具有小于相邻的位元线结构之间的间距的第一宽度。还包含修整图案化遮罩层以扩大开口，使得开口具有大于第一宽度的第二宽度；在修整图案化遮罩层之后，以图案化遮罩层作为遮罩图案化层堆叠；以及以经图案化的层堆叠作为硬遮罩蚀刻基板，以在位元线结构之间形成接触洞。通过在沉积富硅抗反射层之前先对富氧抗反射层进行等离子体处理，能够加强富硅抗反射层与富氧抗反射层之间的介面的粘着力以及硬遮罩品质。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造方法显示投资南亚导体反射层结构专利图案化遮罩富氧抗反射层位元线

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