新紫光半导体申请MOS器件及其制备方法专利，提高崩溃电压改善ESD能力_资讯

新紫光半导体申请MOS器件及其制备方法专利，提高崩溃电压改善ESD能力

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2026-03-23 20:23:10

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国家知识产权局信息显示，成都新紫光半导体科技有限公司申请一项名为“一种MOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN121712043A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明涉及一种MOS器件及其制备方法，该方法包括：在半导体衬底上形成STI结构；在形成有STI结构的半导体衬底上采用离子注入形成P型阱区和N型阱区；其中，位于所述STI结构下方的P型阱区和N型阱区形成重叠区域或具有一定间距；在所述P型阱区或所述N型阱区上形成栅极结构，并在所述栅极结构的两侧分别形成源极区域和漏极区域。本发明MOS器件在STI结构下方的P型阱区和N型阱区形成重叠区域或具有一定间距，将P型阱区和N型阱区直接接触或分开，可有效降低P型阱区和N型阱区的接触面浓度，减小电场强度，进而提高崩溃电压，改善其ESD能力。

天眼查资料显示，成都新紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都新紫光半导体科技有限公司专利信息75条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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