富华电子取得低损耗软磁体专利，降低涡流损耗_资讯

富华电子取得低损耗软磁体专利，降低涡流损耗

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2026-03-21 19:43:45

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国家知识产权局信息显示，浙江富华电子股份有限公司取得一项名为“一种低损耗软磁体”的专利，授权公告号CN224020563U，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种低损耗软磁体，涉及软磁材料技术领域，旨在提供一种高磁导率、高饱和磁通密度以及低损耗的软磁材料，包括膜组，膜组由多层Fe基非晶层和多层Cu层堆积而成，其中，Fe基非晶层与Cu层交替排布，形成三明治结构，Fe基非晶层用于提供高饱和磁感，Cu层用于阻断层间涡流路径，本申请中包括由多层Fe基非晶层和多层Cu层交替堆积而成的膜组，通过Fe基非晶层提供高饱和磁感，并通过Cu层阻断层间涡流路径，降低涡流损耗。

天眼查资料显示，浙江富华电子股份有限公司，成立于2009年，位于嘉兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江富华电子股份有限公司参与招投标项目2次，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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