长飞先进半导体申请n型半导体层的制备方法及半导体器件专利，改善了n型掺杂源难以热分解的问题_资讯

长飞先进半导体申请n型半导体层的制备方法及半导体器件专利，改善了n型掺杂源难以热分解的问题

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2026-03-06 11:45:42

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国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“n型半导体层的制备方法、半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121620101A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种n型半导体层的制备方法、半导体器件及其制备方法，n型半导体层的制备方法包括：形成半导体层，并向半导体层的形成环境中提供n型掺杂源，以在半导体层中掺杂n型掺杂杂质，形成n型半导体层；其中，n型掺杂源包括含N元素的化合物。本发明提供的技术方案，改善了n型掺杂源难以热分解的问题，提高了掺杂均匀性，提高了半导体器件的性能。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目38次，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可62个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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