国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、电子设备”的专利，公开号CN121619907A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其形成方法、电子设备，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上的深P型阱以及第一深N型阱；所述深P型阱设置于所述衬底上的部分区域，所述第一深N型阱设置于所述衬底上的另一部分区域；所述深P型阱的纵向高度大于所述第一深N型阱的纵向高度；以及位于所述第一深N型阱上的多个浮置P型结构；所述多个浮置P型结构依次间隔分布于所述第一深N型阱上；所述多个浮置P型结构各自对应的横向尺寸沿目标方向依次减小，位于所述多个浮置P型结构上的第二深N型阱。本发明提高了耗尽区域中电场分布的均匀性，可以有效防止半导体结构出现局部击穿的情况。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司，成立于2003年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本129000万。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司参与招投标项目106次，专利信息403条，此外企业还拥有行政许可293个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目118次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

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