中科彼岸申请基于相同基础芯片制备多层堆叠用不同芯片的方法专利，可实现多层堆叠用不同芯片的制备_资讯

中科彼岸申请基于相同基础芯片制备多层堆叠用不同芯片的方法专利，可实现多层堆叠用不同芯片的制备

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2026-03-06 04:52:56

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国家知识产权局信息显示，北京中科彼岸集成电路科技有限公司申请一项名为“基于相同基础芯片和光刻偏移参数制备多层堆叠用不同芯片的方法”的专利，公开号CN121604806A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于相同基础芯片和光刻偏移参数制备多层堆叠用不同芯片的方法，所述方法包括：采用第一掩膜版，在N片具有相同结构的基础芯片上制作相同孔结构，获得N片有相同孔结构的基础芯片，所述基础芯片包括第一基础芯片、第二基础芯片，……，第N基础芯片；采用第二掩膜版，依次完成以下步骤：将所述第一基础芯片装载于光刻机，通过预先设置的第二掩膜版‑第一光刻偏移参数，光刻制作第一孔结构，以得到第一芯片；以此类推得到第N芯片；所述第一孔结构、第二孔结构，……，第N孔结构，各孔结构至少有一个孔连接到芯片内部与其它孔结构是不同的。本发明所提供的方法可实现多层堆叠用不同芯片的制备。

天眼查资料显示，北京中科彼岸集成电路科技有限公司，成立于2022年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本105.44216万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中科彼岸集成电路科技有限公司专利信息12条，此外企业还拥有行政许可1个。

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来源：市场资讯

企业方法显示投资彼岸芯片基础结构专利北京中科光刻 N片掩膜

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