积塔半导体申请可靠性测试结构及测试方法专利，极大地缩短整体可靠性测试时间_资讯

积塔半导体申请可靠性测试结构及测试方法专利，极大地缩短整体可靠性测试时间

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2026-03-05 10:15:15

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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“可靠性测试结构及测试方法”的专利，公开号CN121604788A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种可靠性测试结构及测试方法，可靠性测试结构包括：半导体衬底；覆盖半导体衬底的介质层；位于介质层中的至少一第一测试结构和第二测试结构；所述第一测试结构包括第一金属层、第二金属层和第一通孔层；所述第二测试结构包括第三金属层、第四金属层和第二通孔层。本发明的可靠性测试结构通过3D化设计集成电迁移、介质击穿、电压斜坡测试结构，可在同一区域先后测试电迁移以及介质击穿/电压斜坡，无需移动晶圆位置简化了测试流程，同时，并行进行电迁移测试/介质击穿测试、电迁移测试/电压斜坡测试、介质击穿测试/电压斜坡测试，极大地缩短整体可靠性测试时间。此外，该设计节省了测试结构所占用的晶圆面积，提高了晶圆利用率。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1950次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1361条，此外企业还拥有行政许可200个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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