爱思开海力士申请半导体存储器装置和制造方法专利，提供半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法
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2026-03-04 20:41:41
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法”的专利，公开号CN121604421A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本文可以提供半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置包括：栅极层叠体；在栅极层叠体上方的第一半导体层；在第一半导体层和栅极层叠体之间的源极绝缘结构；接触源极层，其设置在源极绝缘结构和栅极层叠体之间；沟道结构，其穿透栅极层叠体并且与接触源极层接触；在栅极层叠体和沟道结构之间的存储器层；以及源极接触结构，其联接到接触源极层并且延伸以穿透源极绝缘结构和第一半导体层。
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