沃尔沃汽车申请混合SiC MOSFET和Si IGBT栅极驱动器架构专利，基于温差调整SiC MOSFET电流和Si IGBT电流
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2026-03-04 17:19:36
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国家知识产权局信息显示，沃尔沃汽车公司申请一项名为“用于混合SiC MOSFET和Si IGBT功率半导体器件的栅极驱动器架构”的专利，公开号CN121602968A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，栅极驱动器集成芯片，包括：高电压侧上的输出级，其将第一电压传输到SiC MOSFET，并且将第二电压传输到Si IGBT；与高电压侧绝缘的低电压侧上的第一控制器；高电压侧上的第二控制器；高电压侧上的ADC电路，其接收逆变器输出电流、SiC MOSFET温度和Si IGBT温度，其中第一控制器：经由ADC电路接收逆变器输出电流、SiC MOSFET温度和Si IGBT温度；基于逆变器输出电流确定SiC MOSFET温度与Si IGBT温度之间的温差；基于温差调整SiC MOSFET电流和Si IGBT电流，或确定第一输出级导通的时间与第二输出级导通的时间之间的第一时间差及第一输出级关断的时间与第二输出级关断的时间之间的第二时间差，其中第二控制器：从第一控制器接收第一时间差和第二时间差，基于第一时间差和第二时间差控制输出级的栅极。
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来源：市场资讯
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