中科彼岸申请基于相同基础芯片和不同连接结构制备多层堆叠芯片的方法专利，实现多层堆叠的高密度层间互联_资讯

中科彼岸申请基于相同基础芯片和不同连接结构制备多层堆叠芯片的方法专利，实现多层堆叠的高密度层间互联

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2026-03-03 20:42:23

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国家知识产权局信息显示，北京中科彼岸集成电路科技有限公司申请一项名为“基于相同基础芯片和不同连接结构制备多层堆叠用不同芯片的方法”的专利，公开号CN121604808A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于相同基础芯片和不同连接结构制备多层堆叠用不同芯片的方法，所述方法包括：采用第一掩膜版在第一基础芯片上光刻制作第一连接结构，以获得第一芯片；采用第二掩膜版在第二基础芯片上光刻制作第二连接结构，以获得第二芯片；重复上述步骤多次，直到完成在第N基础芯片上光刻制作第N连接结构，以获得第N芯片；其中，所述第一芯片、第二芯片，……，第N芯片中，各芯片间的第一~第N连接结构中至少有一个连接结构是不同的。对相同基础芯片制作不同连接结构，从而制作出用于多层堆叠所需不同芯片，可以用相同连接垫及基础芯片制作出满足多层堆叠需求的不同芯片，为同芯片可区分的高密度层间连接提供解决方法，实现多层堆叠的高密度层间互联。

天眼查资料显示，北京中科彼岸集成电路科技有限公司，成立于2022年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本105.44216万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中科彼岸集成电路科技有限公司专利信息8条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示投资彼岸芯片高密度集成电路基础专利北京中科天眼掩膜

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