光羽芯辰申请片上片外协同混合缓存架构以及大模型加速芯片专利，芯片的有效缓存容量从几百兆提升至数GB
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2026-03-03 20:15:13
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国家知识产权局信息显示，上海光羽芯辰科技有限公司申请一项名为“片上片外协同混合缓存架构以及大模型加速芯片”的专利，公开号CN121597634A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请提供的片上片外协同混合缓存架构以及大模型加速芯片，本申请通过片上存储层与片外扩展层协同，使得芯片的有效缓存容量从几百兆提升至数GB，并且片外扩展层DRAM的数据访问频率降低，减少了大模型推理的总延迟。本申请相比传统的全SRAM片上架构，片上缓存面积明显缩减，降低了芯片制造成本，并且静态漏电流减少，整体功耗也降低。本申请的片上存储层架构可以基于标准CMOS工艺实现，片外扩展层支持HBM3/DDR5等主流DRAM，可适配各种主流加速芯片平台，兼容性强。本申请支持根据大模型类型（如LLM、CV模型）动态调整片上存储层与片外扩展层的分区比例，适配不同大模型数据的访问特征。
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来源：市场资讯
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