上海华力申请金属栅的制造方法专利，消除由TaN层所带来的接触电阻高和电迁移的问题_资讯

上海华力申请金属栅的制造方法专利，消除由TaN层所带来的接触电阻高和电迁移的问题

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2026-03-03 16:42:39

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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“金属栅的制造方法”的专利，公开号CN121604490A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种金属栅的制造方法，包括：在半导体衬底的顶部表面依次形成栅介质层和TSN层。采用臭氧对TSN层的顶部表面进行氧化处理。在TSN层的顶部表面形成P型功函数金属层。将第一区域打开并在常温条件下进行湿法刻蚀以去除第一区域中的P型功函数金属层，低温为常温以下的温度，湿法刻蚀的湿法刻蚀液位SC2或H2O2，利用低温和TSN的顶部表面被氧化处理的特征降低TSN的刻蚀速率从提高P型功函数金属层对TSN层的刻蚀选择比，且刻蚀选择比满足TSN层作为刻蚀停止层的要求，使湿法刻蚀停止在TSN层上。形成N型功函数金属层。形成金属导电材料层。本发明能在P型功函数金属层底部的底部阻障层中取消TaN层，从而能消除由TaN层所带来的接触电阻高和电迁移的问题。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2095次，专利信息2738条，此外企业还拥有行政许可397个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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