真芯半导体取得电容器及其制造方法和DRAM专利
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2026-03-03 11:43:35
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国家知识产权局信息显示，真芯(北京)半导体有限责任公司取得一项名为“一种电容器及其制造方法和DRAM”的专利，授权公告号CN114420643B，申请日期为2020年10月。
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来源：市场资讯
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