拓荆科技申请半导体气路阀组系统及薄膜制备方法专利，减少薄膜沉积参数差异性_资讯

拓荆科技申请半导体气路阀组系统及薄膜制备方法专利，减少薄膜沉积参数差异性

创始人

2026-03-02 15:45:50

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国家知识产权局信息显示，拓荆科技（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体气路阀组系统及薄膜制备方法”的专利，公开号CN121576442A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体气路阀组系统及薄膜制备方法，系统整体结构简洁紧凑，节省空间并降低维护难度，减少吹扫时间，提高设备产能，减少薄膜沉积参数差异性，防止前驱体反流，降低颗粒污染风险。系统包括含有内部通道的阀体、阀门、三通块、进气管路及出气管路，三通块位于阀体内部，作为吹扫气体的分流结构，分别输送吹扫气体至左右两侧通道；阀门包括三通阀和两通阀，三通阀布置于阀体外侧位置，用于控制前驱体或反应气体进入不同的反应腔体，以及通过切换实现气体通断或流向选择，两通阀布置于阀体内侧，通过通断控制前驱体或反应气体是否进入对应的通道；进气管路包括前驱体入口和吹扫气体入口，出气管路包括出气口。

天眼查资料显示，拓荆科技（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本143253.79万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆科技（上海）有限公司参与招投标项目36次，专利信息379条，此外企业还拥有行政许可40个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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