格科微申请半导体结构及其形成方法专利，提升器件电学可靠性与封装良率_资讯

格科微申请半导体结构及其形成方法专利，提升器件电学可靠性与封装良率

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2026-02-28 16:45:15

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国家知识产权局信息显示，格科微电子（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121586461A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其形成方法。所述方法包括：提供衬底，在衬底中形成多个硅通孔并填充导电材料，在硅通孔上方形成导电的金属焊盘，并在导电焊盘周围形成至少一圈盲孔结构，以实现导电焊盘的电隔离。其中盲孔结构在衬底法线方向的截面为绝缘的介质结构，进一步的，盲孔结构与硅通孔可采用同一掩膜版同步形成，无需额外光刻步骤。本发明通过在焊盘外围引入小尺寸盲孔结构，有效抑制寄生漏电，提升器件电学可靠性与封装良率，兼具工艺兼容性与成本优势。

天眼查资料显示，格科微电子（上海）有限公司，成立于2003年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6259.722万美元。通过天眼查大数据分析，格科微电子（上海）有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息1098条，此外企业还拥有行政许可44个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资器件通孔导体微电子结构专利电学焊盘半导体衬底硅通孔盲孔

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