真芯半导体取得高段差半导体器件平坦化方法专利_资讯

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2026-02-27 18:12:32

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国家知识产权局信息显示，真芯（北京）半导体有限责任公司取得一项名为“高段差半导体器件平坦化方法”的专利，授权公告号CN114975109B，申请日期为2021年2月。

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来源：市场资讯

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