国际商业机器公司申请磁阻随机存取存储器中的自由层专利，自由层包括耗尽硼的钴铁硼层
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2026-02-26 14:42:01
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国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“磁阻随机存取存储器中的自由层”的专利，公开号CN121569611A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明的实施例提供了一种磁阻随机存取存储器（MRAM）。该MRAM包括参考层；氧化镁（MgO）的隧道势垒层；以及自由层，其中自由层包括位于隧道势垒层顶部的第一钴铁硼（CoFeB）层；位于第一CoFeB层顶部的间隔层；位于间隔层顶部的第二CoFeB层；以及位于第二CoFeB层顶部的MgO的盖层。此外，第一CoFeB层和第二CoFeB层基本上耗尽了硼（B），以分别包括分别邻近隧道势垒层和盖层的第一区域以及邻近间隔层的第二区域，其中第一CoFeB层和第二CoFeB层的第一区域包括结晶的钴铁（CoFe），并且第一CoFeB层和第二CoFeB层的第二区域包括非晶CoFe合金。
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