北京晨晶电子申请低等效串联电阻的硅电容器结构专利，降低硅电容器结构的等效串联电阻_资讯

北京晨晶电子申请低等效串联电阻的硅电容器结构专利，降低硅电容器结构的等效串联电阻

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2026-02-18 11:42:03

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国家知识产权局信息显示，北京晨晶电子有限公司申请一项名为“低等效串联电阻的硅电容器结构及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN121548052A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种低等效串联电阻的硅电容器结构及其制备方法、电子设备，属于半导体技术领域，硅电容器结构，包括：硅衬底，硅衬底的正面形成有沟槽网络；叠层电容结构，设置于沟槽网络内以及硅衬底的正面，叠层电容结构包括至少一层由底电极、介质层和顶电极构成的叠层结构；底电极覆盖沟槽网络的底面和侧面以及硅衬底的正面，介质层覆盖底电极，顶电极填充沟槽网络并覆盖介质层；第一电极和第二电极，顶电极通过电极互联孔与第一电极电性连接，底电极通过电极互联孔与第二电极电性连接；顶电极和底电极中的至少一个电极对应设置有多个电极互联孔。本发明在提升电容密度的同时，降低了硅电容器结构的等效串联电阻。

天眼查资料显示，北京晨晶电子有限公司，成立于2000年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1890.92323万人民币。通过天眼查大数据分析，北京晨晶电子有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目529次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息178条，此外企业还拥有行政许可72个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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