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晶合集成申请半导体结构及其制备方法专利，提高半导体结构的可靠性和良率

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2026-02-12 13:20:09

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121510949A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明提出了一种半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。半导体结构至少包括：基底；凹槽，由所述基底的表面向所述基底内凹陷；阻挡层，设置在所述基底的表面上和所述凹槽内；第一掺杂层，设置在所述阻挡层上；第二掺杂层，设置在所述第一掺杂层上；以及导电层，设置在所述第二掺杂层上。通过本发明提出的一种半导体结构及其制备方法，能够有效减少铜互联结构中的孔洞缺陷，同时有效避免电迁移，提高半导体结构的可靠性和良率。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目637次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1627条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资合肥良率导体阻挡层晶合结构专利的可靠性基底半导体杂层

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