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华虹半导体申请栅氧制造方法专利，能提高栅氧的N剂量并能降低栅氧漏电

创始人

2026-02-11 20:14:05

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“栅氧制造方法”的专利，公开号CN121510648A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种栅氧制造方法，在进行氮化后退火过程中，在恒温步骤之前增加一步在纯氮气氛围中进行的纯氮处理步骤，有利于氮的固定，减少晶格缺陷；然后进行恒温步骤，并提高恒温步骤中的O2流量，从而在Si‑SiO2界面处新生长一层较厚的高质量氧化物薄膜，以消除纯氮处理步骤中的因较高的N剂量引入的界面缺陷，在提升固氮能力的同时，提高氮化后退火的界面态修复能力，能提高栅氧的N剂量并能降低栅氧漏电。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目376次，专利信息178条，此外企业还拥有行政许可229个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1987条，此外企业还拥有行政许可117个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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