新存科技申请相变存储器及其形成方法专利，接触结构在第一方向上的尺寸由下至上递增_资讯

新存科技申请相变存储器及其形成方法专利，接触结构在第一方向上的尺寸由下至上递增

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2026-02-09 14:40:34

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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“相变存储器及其形成方法”的专利，公开号CN121487261A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本公开提供了一种相变存储器及其形成方法，所述形成方法包括：提供布线层；所述布线层至少包括沿第一方向延伸的顶部金属层；所述第一方向垂直于第二方向，所述第二方向为所述布线层的厚度方向；在所述布线层上形成沿所述第二方向延伸的接触结构；所述接触结构的一端与所述顶部金属层连接；所述接触结构在所述第一方向上的尺寸由下至上递增；在所述布线层上形成相变存储单元阵列；所述接触结构与所述相变存储单元阵列连接。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息207条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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