武汉新芯申请半导体器件制造方法专利，降低金属插塞接触电阻并提升连接稳定性_资讯

武汉新芯申请半导体器件制造方法专利，降低金属插塞接触电阻并提升连接稳定性

创始人

2026-02-09 14:12:07

0次

国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121487572A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请公开了半导体器件及其制造方法，该方法通过提供基体，基体包括半导体衬底和栅极结构，栅极结构位于半导体衬底上，栅极结构包括金属栅；形成掩膜层覆盖金属栅；形成层间介质层覆盖基体，并覆盖掩膜层；利用掩膜层作为蚀刻停止层进行干法刻蚀，以暴露出掩膜层；进行湿法刻蚀，进一步刻蚀掩膜层以形成暴露金属栅的第一接触孔。因此，通过在金属栅上方设置耐刻蚀的掩膜层，使得掩膜层可作为干法刻蚀的停止层阻隔刻蚀气体接触金属栅，减少或避免刻蚀过程中产生氟化铝络合物等高阻副产物；通过进行湿法刻蚀进一步去除掩膜层，以形成暴露金属栅的第一接触孔，从而可降低第一接触孔中后续填充的金属插塞的接触电阻并提升连接稳定性。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1824条，此外企业还拥有行政许可106个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法显示投资降低电阻武汉专利金属基体半导体掩膜层掩膜

上一篇：集邦咨询：AI带动超级循环存储器产值攀升至晶圆代工2倍以上

下一篇：联想申请信息处理方法及车载电子设备专利，将目标播放设备与电子设备进行自动配对连接

武汉新芯申请半导体器件制造方法专利，降低金属插塞接触电阻并提升连接稳定性

相关内容

热门资讯