上海集成电路研发中心申请光电探测器制造方法专利，提高外延层质量_资讯

上海集成电路研发中心申请光电探测器制造方法专利，提高外延层质量

创始人

2026-02-06 20:42:33

0次

国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“光电探测器的制造方法”的专利，公开号CN121463561A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种光电探测器的制造方法，先在探测器区上依次形成预刻蚀层和第一介质层，然后形成第二介质层，第二介质层覆盖第一介质层和非探测器区；接着，依次刻蚀探测器区上的第二介质层和第一介质层以形成开口，开口暴露出预刻蚀层；接着，以第二介质层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺去除预刻蚀层，以暴露出探测器区；之后，在探测器区上形成外延层，外延层位于开口内。由于在刻蚀探测器区上的第二介质层时，探测器区上形成有预刻蚀层，故预刻蚀层可以保护探测器区，从而避免在刻蚀第二介质层和第一介质层的过程中对衬底造成过刻蚀损伤，相应的，可以减少后续形成的外延层中的位错缺陷，提高外延层的质量，进而提高器件的性能。

天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目296次，财产线索方面有商标信息95条，专利信息2165条，此外企业还拥有行政许可88个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法显示投资探测介质外延集成电路专利蚀层探测器区外延层介质层探测器

上一篇：锐测电子取得开关柜局放信号识别方法专利

下一篇：宇盛光电取得滤波器BUSBAR焊接工装专利

上海集成电路研发中心申请光电探测器制造方法专利，提高外延层质量

相关内容

热门资讯