武汉新芯申请半导体器件制造方法专利，能有效减少电阻结构所需的版图面积_资讯

武汉新芯申请半导体器件制造方法专利，能有效减少电阻结构所需的版图面积

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2026-02-06 18:12:55

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国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法及半导体器件”的专利，公开号CN121463511A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了半导体器件的制造方法及半导体器件，包括：提供半导体结构，其中，半导体结构包括电阻功能区，电阻功能区形成有伪栅结构；移除电阻功能区的伪栅结构，以形成至少两个第一凹槽，并在电阻功能区形成第一电阻层，以形成电连接的至少两个电阻结构，其中，位于一个第一凹槽中的第一电阻层对应形成一个电阻结构。即本申请中，将电阻功能区的伪栅结构移除，以形成至少两个第一凹槽，进而在每一第一凹槽中形成第一电阻层，以形成对应的电阻结构，且电阻结构之间相互连接，形成三维的电阻结构，能有效减少电阻结构所需的版图面积，并且三维的电阻结构，可以有效降低电阻值的调控难度。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1820条，此外企业还拥有行政许可106个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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