国家知识产权局信息显示,苏州大学、北京天钰光能有限公司申请一项名为“一种红外窄带光电器件及其制备方法”的专利,公开号CN121463571A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明公开了一种红外窄带光电器件及其制备方法,包括如下步骤:在FTO玻璃上制备电子传输层后,在电子传输层上制备活性吸收层,将活性吸收层进行氯化镉处理钝化缺陷后,在活性吸收层上制备硫氰酸亚铜层或氧化镍层作为空穴传输层,当空穴传输层为氧化镍层时,在空穴传输层上制备硫氰酸亚铜层,于250±5℃退火10‑30min将铜扩散至FTO玻璃界面,在硫氰酸亚铜层表面制备透明电极。本发明在制备硫氰酸亚铜层后进行高温退火处理,使铜充分扩散掺杂至活性吸收层,P型掺杂浓度提升,获取极窄的内建电场,实现载流子收集窄化效果,具有稳定性高,使用寿命长,响应速度快,响应度高、波段选择性强、响应波段宽幅可调、半高宽窄等优点。
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来源:市场资讯