江苏第三代半导体研究院申请半导体外延结构专利，协同提高空穴浓度_资讯

江苏第三代半导体研究院申请半导体外延结构专利，协同提高空穴浓度

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2026-02-05 15:15:57

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国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种半导体外延结构及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121463605A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体外延结构及其制备方法和应用。该半导体外延结构中的p型半导体层包括p型势垒层，p型势垒层包括至少一个p型结构，p型结构包括依次设置的势垒前子层、p型氮化物微结构和势垒后子层，p型氮化物微结构包括分布在势垒前子层远离有源层表面上的多个纳米凸起部，势垒后子层覆盖多个纳米凸起部以及势垒前子层未被纳米凸起部覆盖的表面；势垒前子层的材料为掺杂有受主杂质的第一氮化物，纳米凸起部的材料为第二氮化物，第二氮化物的价带高于第一氮化物的价带。本发明通过在p型势垒层中设置p型氮化物微结构以降低受主掺杂的激活能，并在界面处形成较强的极化效应，从而协同提高空穴浓度。

天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息398条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示氮化物投资半导体空穴协同外延结构专利势垒 p型前子层

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