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意法半导体申请高带宽光隔离式电流传感器的CMOS集成专利，实现电隔离电流传感

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2026-02-05 10:18:50

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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“高带宽光隔离式电流传感器的CMOS集成”的专利，公开号CN121454117A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本公开的各实施例涉及高带宽光隔离式电流传感器的CMOS集成。公开了一种用于功率转换器的电隔离电流传感器。该传感器包括容纳第一集成电路(IC)、发光层、光波导、光敏层和第二IC的封装件。该发光层发出与参考电流成比例的光。该光波导基于由待感测电流生成的磁场来调制该光。该光敏层生成表示该所调制的光强度的光电流。该第二IC基于该光电流输出感测电流。该光波导包括偏振器和法拉第旋转器材料，以实现该调制。描述了用于处理该感测电流的控制电路装置的不同实施例，包括基于闪存ADC的系统、具有高速计数器的压控振荡器和具有低速计数器的电流控制延迟线。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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