国家知识产权局信息显示,意法半导体国际公司申请一项名为“高带宽光隔离式电流传感器的CMOS集成”的专利,公开号CN121454117A,申请日期为2025年7月。
专利摘要显示,本公开的各实施例涉及高带宽光隔离式电流传感器的CMOS集成。公开了一种用于功率转换器的电隔离电流传感器。该传感器包括容纳第一集成电路(IC)、发光层、光波导、光敏层和第二IC的封装件。该发光层发出与参考电流成比例的光。该光波导基于由待感测电流生成的磁场来调制该光。该光敏层生成表示该所调制的光强度的光电流。该第二IC基于该光电流输出感测电流。该光波导包括偏振器和法拉第旋转器材料,以实现该调制。描述了用于处理该感测电流的控制电路装置的不同实施例,包括基于闪存ADC的系统、具有高速计数器的压控振荡器和具有低速计数器的电流控制延迟线。
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来源:市场资讯
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