国创科申请电流体打印芯片及其成型方法专利，提高了打印精度_资讯

国创科申请电流体打印芯片及其成型方法专利，提高了打印精度

创始人

2026-02-04 23:38:50

0次

国家知识产权局信息显示，武汉国创科光电装备有限公司申请一项名为“一种电流体打印芯片及其成型方法”的专利，公开号CN121448005A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请涉及一种电流体打印芯片及其成型方法，包括硅板及设置于硅板上的：多个环形槽，多个环形槽均匀开设于硅板底面，且环形槽的中部形成凸台；多个喷射孔，多个喷射孔分别开设于多个凸台的底面，喷射孔贯穿于硅板；多个下沉槽，多个下沉槽均开设于硅板顶面，且多个下沉槽与多个喷射孔一一对应，喷射孔与下沉槽的槽底连通；下沉槽缩短了喷射孔孔深；保护层，保护层布置于硅板表面；多组电极结构，多组电极结构均布置于硅板底部，电极结构成型于保护层，多个电极结构的施压端分别环绕于多个环形槽布置。本申请利用硅板作为喷射板，使用干法刻蚀的形式喷射孔，喷射孔的精度更高，提高了打印精度。

天眼查资料显示，武汉国创科光电装备有限公司，成立于2020年，位于武汉市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本7588.8096万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉国创科光电装备有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息225条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示电极投资国创喷射芯片武汉专利流体电流体国创科硅板喷射孔下沉槽

上一篇：安徽麦特电子取得防滴漏注油嘴专利，避免油料污染设备表面和浪费

下一篇：原创普京一声令下，俄军6个小时大轰炸，基辅电力彻底瘫痪，乌克兰或后悔撕毁停战协议

国创科申请电流体打印芯片及其成型方法专利，提高了打印精度

相关内容

热门资讯