中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，降低形成第二凹槽的工艺复杂度_资讯

中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，降低形成第二凹槽的工艺复杂度

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2026-02-04 13:48:22

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN121442718A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：基底和相邻沟道凸起结构围成第一凹槽，形成保形覆盖第一凹槽侧壁和底部的初始隔离层，以使初始隔离层中形成有第二凹槽；在第二凹槽中形成隔离鳍部。本发明实施例中，通过形成保形覆盖第一凹槽侧壁和底部的初始隔离层，以使第一凹槽侧壁上的初始隔离层围成第二凹槽，无需采用光刻工艺和刻蚀工艺在初始隔离层中形成第二凹槽，之后在第二凹槽中形成隔离鳍部，从而使得在初始隔离层中形成第二凹槽的过程中不需要增加额外光罩，进而降低工艺成本；同时，由于在初始隔离层中形成第二凹槽的过程中，不需要采用光刻工艺形成第二凹槽，即不需要通过刻蚀工艺形成高深宽比的第二凹槽，从而降低形成第二凹槽的工艺复杂度。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资降低中芯国际隔离导体凹槽结构专利侧壁初始中芯隔离层

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