MOS 管参数分静态参数和动态参数，两种参数的测试逻辑和设备选型差异较大，本文将分两类详细拆解测试方法。

1. 静态参数测试

静态参数是 MOS 管基础性能指标，决定其直流导通、耐压、漏电等核心能力，测试核心用直流电源、万用表、半导体参数分析仪即可，ATE 平台可直接集成直流测试模块自动化执行。

MOS管测试

核心静态参数 + 测试方法

阈值电压（Vth）：导通的最小栅源电压，核心判断开启性能

定义：漏源电压 Vds 固定时，漏极电流 Id 达到规定小电流时的栅源电压 Vgs

测试条件：固定 Vds，栅源电压 Vgs 从 0 逐步升压

测试步骤：

接线：源极 S 接地，漏极 D 接直流电源并串联电流表，栅极 G 接可调直流电源

固定 Vds 为规格书指定值，确保 Vgs 初始为 0，此时 Id 应接近 0缓慢提升 Vgs，记录 Id 达到规定阈值电流时的 Vgs 值，即为 Vth。

注意：区分 N 沟道和 P 沟道，避免电源极性接反

漏源击穿电压（BVdss）：漏源最大耐压，核心判断抗击穿能力

定义：栅源短路时，漏极电流 Id 达到规定漏电流时的漏源电压 Vds

测试条件：Vgs=0，漏源电压 Vds 逐步升压

测试步骤：

接线：G 与 S 短接并接地，D 接可调直流高压电源，串联电流表

缓慢提升 Vds，监测 Id 变化，当 Id 达到规定值时，立即停止升压，此时 Vds 即为 BVdss。

导通电阻项目测试

导通电阻（Rds (on)）：导通时漏源内阻，核心影响导通损耗

定义：栅源电压 Vgs≥Vth、漏极电流 Id 为规定值时，漏源两端电压 Vds 与 Id 的比值（Rds (on)=Vds/Id）

测试条件：Vgs = 额定驱动电压，Id = 规格书指定电流

测试步骤：

接线：S 接地，G 接固定直流电源，D 接可调直流电源 + 电流表，并联电压表测 Vds

调节 D 端电源，使 Id 达到规定值，稳定后读取 Vds 数值

计算：Rds (on)=Vds/Id，数值越小，导通损耗越低，性能越好

注意：Rds (on) 受温度影响大，测试需记录环境温度，或在规定温度下测试

栅源击穿电压（BVgss）：栅源最大耐压，核心保护栅极

定义：漏源短路时，栅极电流 Ig 达到规定漏电流时的栅源电压 Vgs

测试条件：Vds=0，Vgs 逐步升压

测试步骤：

接线：D 与 S 短接并接地，G 接可调直流电源，串联微安表测 Ig

缓慢升降 Vgs，当 Ig 达到 10μA 时，对应 Vgs 即为 BVgss

注意：BVgss 通常为 ±20V 左右，超过会永久损坏栅极氧化层，测试必须慢升慢降

漏极漏电流（Idss）、栅极漏电流（Igss）：静态漏电指标，反映器件稳定性

漏极漏电流 Idss：Vgs=0、Vds=BVdss 的 80% 时，漏极的微小电流，越小越好

栅极漏电流 Igss：Vds=0、Vgs=BVgss 的 80% 时，栅极的微小电流，越小越好

测试方法：按对应条件固定电压，用微安表直接测量对应电流即可。

自动化测试平台示意图

静态测试 ATE 测试系统适配要点

核心模块：直流电源模块、数字万用表、高压模块

自动化逻辑：设定电压 / 电流阈值，自动升压 / 降压，达到阈值后记录数据，自动停止测试

适用场景：批量器件筛选、出厂检测，ATECLOUD 可预设测试流程，批量导出测试报告

1. 动态参数测试

动态参数反映 MOS 管开关过程中的性能，直接决定其在高频电路中的表现，测试需信号发生器、示波器、直流电源、负载电阻，ATE 平台需集成高频信号模块和高速采集模块。

核心动态参数 + 测试方法

输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）、反向传输电容（Crss）：MOS 管核心寄生电容，决定开关速度

定义：MOS 管的极间寄生电容，Ciss = 栅源电容 Cgs + 栅漏电容 Cgd；Coss = 漏源电容 Cds + 栅漏电容 Cgd；Crss=Cgd

测试条件：1kHz/1MHz 交流小信号，直流偏置电压按规格书设定

测试方法 1：专用电容表测试

测 Ciss：D 与 S 短接，电容表两端接 G 和

测 Coss：G 与 S 短接，电容表两端接 D 和

测 Crss：电容表两端接 G 和 D，S 悬空

测试方法 2：示波器测试

给栅极加固定频率小信号，监测栅极电流变化，通过 I=C・du/dt 计算电容值

核心逻辑：电容充放电电流与电压变化率成正比，通过高速采集电压 / 电流波形，自动计算电容

开通时间（ton）：从栅极加驱动信号到漏极电流达到额定值的时间，反映开通速度

定义：ton = 延迟时间（td (on)）+ 上升时间（tr）；td (on)：栅极信号到 Id 上升至 10% 额定值的时间；tr：Id 从 10% 到 90% 额定值的时间

测试条件：额定 Vgs 驱动、额定 Id 负载、规定 Vds 电压

测试步骤

搭建测试回路：直流电源（Vdd）→负载电阻 RL→MOS 管 D→MOS 管 S→地；栅极 G 接信号发生器，示波器探头接 G和 D

设定信号发生器：方波幅值 0~10V，频率 10kHz，占空比 50%

示波器采集波形：Vgs 上升沿触发，记录 Vgs 上升沿到 Id 达到 10% 额定值的时间（td (on)），再记录 Id 从 10% 到 90% 的时间（tr），ton=td (on)+tr。

自动化测试示意图

关断时间（toff）：从栅极驱动信号撤销到漏极电流降至 0 的时间，反映关断速度

定义：toff = 延迟时间（td (off)）+ 下降时间（tf）；td (off)：栅极信号下降沿到 Id 降至 90% 额定值的时间；tf：Id 从 90% 到 10% 额定值的时间

测试条件：同开通时间，核心是捕捉关断过程波形

测试步骤：

同开通测试回路，示波器触发源改为 Vgs 下降沿

记录 Vgs 下降沿到 Id 降至 90% 额定值的时间（td (off)），Id 从 90% 到 10% 的时间（tf），toff=td (off)+tf

注意：关断时漏极会产生尖峰电压，需加吸收电路，避免击穿

开关损耗（Eon/Eoff）：开通 / 关断过程的能量损耗，高频场景核心指标

定义：开通过程中 Vds 与 Id 乘积的积分；关断过程中 Vds 与 Id 乘积的积分（Eoff），单位 mJ

测试条件：额定驱动、额定负载、高频开关工况

测试步骤：

示波器同时采集 Vds和 Id波形，确保同步

开通阶段：Vds 从高压降至 0，Id 从 0 升至额定值，两者重叠区域的面积即为 Eon

关断阶段：Vds 从 0 升至高压，Id 从额定值降至 0，两者重叠区域的面积即为 Eoff

关键：示波器需支持波形积分运算，ATE 平台可自动计算面积，输出损耗数值

动态测试 ATE 适配要点

核心模块：高频信号发生器、高速示波器、积分运算模块

自动化逻辑：预设驱动频率 / 幅值，自动采集 Vgs/Vds/Id 波形，自动计算 ton/toff/Eon/Eoff，生成波形报告

适用场景：高频应用选型，ATECLOUD 可存储波形数据，对比不同器件性能

通过以上的方法即可分别完成MOS 管静态参数与动态参数的测试，以上不仅有具体的手动操作步骤，也有采用ATECLOUD平台的自动化测试方法推荐，用户可根据自身的实际需求来进行测试。更多自动化测试方法可流程可关注“ATECLOUD”