拉普拉斯申请半导体工艺设备专利，提高不同温度区域的晶片薄膜沉积的膜层均匀性
国家知识产权局信息显示，拉普拉斯（广州）半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体工艺设备”的专利，公开号CN121428526A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体工艺设备，涉及半导体加工技术领域。该半导体工艺设备包括反应腔体和分流组件，反应腔体具有进气腔和反应腔，反应腔体的第一端设有与反应气体源连接的进气管，进气管与进气腔连通；沿竖直方向，反应腔分为上子腔室和下子腔室，反应腔被配置为：在工艺时，上子腔室的温度高于下子腔室的温度。分流组件设于反应腔体内，分流组件被配置为对进气管进入进气腔内的反应气体进行分流，以使大部分反应气体进入下子腔室，小部分反应气体进入上子腔室。该半导体工艺设备，实现了位于不同温度区域的同一晶片表面以及不同晶片的膜层厚度保持一致，提高了不同温度区域的晶片薄膜沉积的膜层均匀性。
天眼查资料显示，拉普拉斯（广州）半导体科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，拉普拉斯（广州）半导体科技有限公司参与招投标项目2次，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可5个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
上一篇：阪本金属取得异形半导体管道电解抛光用柔性电极专利，有效避免柔性阵列电极接触到异形半导体管道的内壁而短路烧坏
下一篇：中韩半导体ETF（513310）前一交易日吸金1882.06万元，主力净流入额2104.88万元，近一周涨幅达12.58%